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一种高功率小发散角单横模单波长半导体激光器及制备方法

摘要

一种高功率小发散角单横模单波长半导体激光器及制备方法,包括片体,所述片体底部和顶部表面均覆盖有电极层;所述片体包括中心腔以及对称设置在中心腔左右两侧的PT布拉格反射光栅区。本发明的有益效果是:该结构将电注入分散在两侧的布拉格反射光栅区,注入面积较传统激光器大,不仅减小了器件的输入电阻和热效应,实现较高的能量转换效率,而且较大的注入面积更有利于散热。

著录项

  • 公开/公告号CN113851929A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东建筑大学;李俣;

    申请/专利号CN202110959869.9

  • 发明设计人 彭瑞宏;李俣;

    申请日2021-08-20

  • 分类号H01S5/187(20060101);

  • 代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人张宏松

  • 地址 250101 山东省济南市历城区凤鸣路1000号

  • 入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-18

    授权

    发明专利权授予

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