基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器

摘要

一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器，在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸，即不需要是自成像距离的整数倍，而可以是自成像距离整数倍的1/n（n为整数）。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。