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在单晶硅基片上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜的方法

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摘要

本发明公开了一种利用缓冲层，在单晶硅衬底上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜材料的方法。包括以下步骤：（1）采用溶胶‑凝胶法分别制备实验所需的LaNiO

1. 外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法 [P] . 中国专利：
2. 在单晶硅基片上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN110581217A . 2019-12-17
3. 一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN110668503B . 2022-02-08
4. RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM, METHOD FOR FORMING PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM AND PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM [P] . 日本专利： JP2001072416A . 2001-03-21

机译：钙钛矿型氧化物薄膜的原料制备方法，钙钛矿型氧化物薄膜和钙钛矿型氧化物薄膜的制备方法
5. Organic solvent dispersion blended with flaky perovskite oxide particles, method for producing the same, perovskite oxide thin film using the same, and method for producing the same [P] . 日本专利： JP5672726B2 . 2015-02-18

机译：与片状钙钛矿氧化物颗粒混合的有机溶剂分散体，其制备方法，使用其的钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法
6. MANUFACTURING METHOD OF PEROVSKITE TYPE COMPOSITE OXIDE FILM CONTAINING TITANIUM [P] . 日本专利： JP2008150254A . 2008-07-03

机译：钙钛矿型钙钛矿型复合氧化物薄膜的制备方法