外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法，涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。本发明通过运用毛细管力和温度梯度，在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜，从而控制钙钛矿晶体的形貌，使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配，提高单晶钙钛矿薄膜的质量。与现有技术相比，本发明操作简单，薄膜形貌和厚度可控，容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜；同时，单晶钙钛矿薄膜生长周期短，降低了成本。