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一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料,其生长在衬底上,所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La1‑xCaxMnO3,0.35<x≤1,其双层结构由一层沿着衬底外延生长的0‑40 nm厚的连续层和垂直于连续层的纳米柱层构成,所述纳米柱层沿着连续层外延生长。本发明还公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的制备方法及其应用。本发明的材料具有显著的垂直磁异向性和可调的、具有宽的工作温度范围的低场磁阻效应。

著录项

  • 公开/公告号CN110668503B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 荆楚理工学院;

    申请/专利号CN201910920569.2

  • 申请日2019-09-27

  • 分类号C01G45/12(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构42107 荆门市首创专利事务所;

  • 代理人董联生

  • 地址 448001 湖北省荆门市象山大道33号

  • 入库时间 2022-08-23 13:05:06

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