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集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板

摘要

本发明涉及集成薄膜太阳能电池,尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池,以及制造该太阳能电池的方法,用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法,其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本,以及透明电极的结构,以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤:(a)单独在透明基板上形成透明电极图案;(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层;(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极;(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层;和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。

著录项

  • 公开/公告号CN100570903C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 韩国科学技术院;

    申请/专利号CN200680008251.8

  • 申请日2006-03-16

  • 分类号H01L31/042(20060101);

  • 代理机构北京中安信知识产权代理事务所;

  • 代理人张小娟

  • 地址 韩国大田市

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/042 授权公告日:20091216 终止日期:20140316 申请日:20060316

    专利权的终止

  • 2009-12-16

    授权

    授权

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-12

    公开

    公开

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