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郭伟玲; 邓杰; 王嘉露; 王乐; 邰建鹏;
北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室 北京100124;
透明电极; 石墨烯; 铟锑氧化物; 比接触电阻率;
机译:通过快速化学气相沉积和用于GaN发光二极管的超薄铟锡氧化物接触层而生长的石墨烯透明电极
机译:铟锡氧化物纳米点节点上的石墨烯网络,用于InGaN / GaN发光二极管中的透明电极和电流扩散电极
机译:用于氮化物基发光二极管的铟锌氧化物透明电极
机译:在铝-铟-锑变质缓冲层上生长的中红外镓-铟-锑/铝-镓-铟-锑MQW激光器。
机译:具有石墨烯透明电极的光子晶体GaN发光二极管的性能增强
机译:新型铟 - 锑单源前体消除β-氢化物制备纳米铟锑
机译:石墨烯透明电极,石墨烯发光二极管以及制造该石墨烯发光二极管的方法
机译:包括过渡金属氧化物或氢氧化物颗粒的石墨烯复合物的制造方法,由该石墨烯复合物制造的石墨烯复合物以及包括具有相同能力的高能量密度电容器的电荷存储装置
机译:宽范围波长的复合光源与石墨烯氧化物在金属纳米氧化物透明电极上的制备方法
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