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具有包括氧化锆的叠层介电结构的快闪存储器件及其制造方法

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一种置于快闪存储器件的浮动栅极和控制栅极之间的介电结构，包括：第一介电层；具有基本与第一介电层相同的介电常数k的第三介电层；和位于第一介电层和第三介电层之间的第二介电层，第二介电层具有大于第一和第三介电层的介电常数k并且通过交替和重复堆叠多个氧化铝(Al

著录项

公开/公告号CN100563030C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人海力士半导体有限公司;
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申请/专利号CN200610152832.0
发明设计人李升龙;周文植;
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申请日2006-10-20
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨生平
地址韩国京畿道利川市
入库时间 2022-08-23 09:03:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/788 授权公告日:20091125 终止日期:20131020 申请日:20061020

专利权的终止
2009-11-25

授权

授权
2007-12-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-31

公开

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