机译:具有高介电常数的介电结构,形成介电结构的方法,具有介电结构的非易失性半导体存储器件以及制造非易失性半导体存储器件的方法
公开/公告号US2006244147A1
专利类型
公开/公告日2006-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 JONG-CHEOL LEE;SUNG-TAE KIM;YOUNG-SUN KIM;CHA-YOUNG YOO;GAB-JIN NAM;YOUNG-GEUN PARK;JAE-HYOUNG CHOI;JAE-HYUN YEO;HA-JIN LIM;YUN-SEOK KIM;
申请/专利号US20060339086
发明设计人 JONG-CHEOL LEE;SUNG-TAE KIM;YOUNG-SUN KIM;CHA-YOUNG YOO;GAB-JIN NAM;YOUNG-GEUN PARK;JAE-HYOUNG CHOI;JAE-HYUN YEO;HA-JIN LIM;YUN-SEOK KIM;
申请日2006-01-25
分类号H01L23/48;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:46:20