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利用表面等离子体来增加能量吸收效率的半导体传感器

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摘要

一种半导体传感器(100)，包括：半导体层(102)，其具有在该半导体层(102)一侧的接收入射辐射能(110)的入射表面(104)和在该半导体层(102)的另一侧的波纹表面；以及金属层(106)，其具有波纹表面，该波纹表面与半导体层(102)的波纹表面匹配并且与半导体层(102)的波纹表面接触，以在半导体层(102)和该金属层(106)之间形成波纹界面(108)。该波纹界面(108)与所述半导体层(102)的所述入射表面(104)基本平行，并且提供了能量吸收路径，通过该能量吸收路径入射辐射能(110)被吸收。

著录项

公开/公告号CN100573893C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-23

原文格式PDF
申请/专利权人安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司;
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申请/专利号CN200710000843.1
发明设计人拉塞尔·W·格鲁克;查尔斯·E·波特;
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申请日2007-01-12
分类号
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人王怡
地址新加坡新加坡市
入库时间 2022-08-23 09:03:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-03-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 授权公告日:20091223 终止日期:20140112 申请日:20070112

专利权的终止
2013-06-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/146 变更前: 变更后: 登记生效日:20130523 申请日:20070112

专利申请权、专利权的转移
2009-12-23

授权

授权
2009-03-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-05-07

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080321 申请日:20070112

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2007-07-18

公开

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