具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法

摘要

本发明提供了一种具有双氮化硅衬里和重新形成的硅化物层的半导体器件及用于制造这种器件的相关方法。重新形成的硅化物层具有与未暴露于双氮化硅衬里的形成的硅化物层基本相同的厚度和电阻。本发明的第一方面提供了用于在半导体器件的制造中使用的方法，包括以下步骤：给硅化物层施加第一氮化硅衬里、除去一部分所述第一氮化硅衬里、重新形成在所述去除步骤期间除去的一部分所述硅化物层，以及给所述硅化物层施加第二氮化硅衬里。