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公开/公告号CN113571750B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.03.17
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北大学;
申请/专利号CN202110796106.7
发明设计人 夏晨;杨韪光;金彬;默罕默德阿克巴;汪宝元;朱斌;
申请日2021.07.14
分类号H01M8/1016;H01M8/10;
代理机构东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙);
代理人吴道耀
地址 430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
入库时间 2023-04-06 21:56:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-17
授权
发明专利权授予
机译: 宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译: 半导体测试夹具和使用相同方法测量击穿电压的方法,适用于测量宽禁带半导体的击穿电压
机译: 宽禁带半导体的带隙电子性质的测量方法
机译:浮区法制备的宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶中杂质阳离子之间的补偿效应
机译:半导体光催化剂,用于掺杂剂改性的宽禁带半导体的可见光吸收
机译:各向异性有效质量近似模型,用于计算宽禁带半导体表面上的多个子带结构:在SrTiO3和ZnO累积层中的应用
机译:使用聚类方法对宽禁带半导体中的缺陷建模
机译:宽 禁带半导体 基础的 电源转换器 的可靠性 和 拓扑 调查
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:冒险穿越禁带