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增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法

摘要

本发明涉及一种增强散热Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及其制备方法,通过先对衬底进行预处理后,再沉积Cu膜,之后在有氧环境中进行退火处理,制得Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜结构中,纳米线之间紧密排列,电学性能大幅提升,适合作为电极材料使用。纳米线阵列膜在面内方向的热导率降低,在面外方向具有接近于块体铜材料的热导率,膜的散热功能好,Cu‑Cu2O核壳结构使纳米线阵列的稳定性增强。本发明所述的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极,具有抗氧化性能和热导率各向异性,导电性高,热传导性强。方块电阻50‑200mΩ/□,面外热导率270‑378W/mK,面外与面内热导率的比值10‑60。

著录项

  • 公开/公告号CN110668392B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.03.14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910958729.2

  • 发明设计人 曹丽莉;邓元;祝薇;胡少雄;

    申请日2019.10.10

  • 分类号B81B7/04;B81C1/00;

  • 代理机构北京细软智谷知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘静培

  • 地址 310000 浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街18号

  • 入库时间 2023-04-06 21:55:11

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