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公开/公告号CN110668392B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.03.14
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学杭州创新研究院;北京信息科技大学;
申请/专利号CN201910958729.2
发明设计人 曹丽莉;邓元;祝薇;胡少雄;
申请日2019.10.10
分类号B81B7/04;B81C1/00;
代理机构北京细软智谷知识产权代理有限责任公司;
代理人刘静培
地址 310000 浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街18号
入库时间 2023-04-06 21:55:11
机译: // CdS / ZnSe核/壳纳米线结构光电极及其制备方法
机译: 基于分散金属电极制备的氧化铜和氧化锌类型的壳纳米线阵列的光电检测器的制备方法
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译:Co_3O_4 @ Co-Ni硫化物核/壳纳米线阵列的制备作为无粘合剂电极用于电化学储能
机译:ZnO / ZnO核壳纳米线阵列电极:染料敏化太阳能电池中的复合阻断和光电压的令人印象深刻的增强
机译:铝和铜等离子增强核壳和核-多壳纳米线光电电极的内部量子效率
机译:混合核-壳纳米线电极利用垂直排列的碳纳米纤维阵列实现高性能储能。
机译:核-壳状Cu-Cu2O / CuO纳米线的随机网络作为表面等离子体共振增强传感器
机译:作为表面等离子体共振增强传感器的核壳样Cu-Cu2O / CuO纳米线的随机网络
机译:用于高灵敏度气体检测的垂直纳米线阵列上的周期性多孔顶部电极