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公开/公告号CN110408953A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN201910744440.0
发明设计人 陈明华;王凡;陈庆国;
申请日2019-08-13
分类号C25B11/06(20060101);C25B11/03(20060101);C25B1/04(20060101);
代理机构23209 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙);
代理人赵君
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
入库时间 2024-02-19 14:30:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C25B11/06 申请日:20190813
实质审查的生效
2019-11-05
公开
机译: 氧化钨膜及其制备方法,氧化钨膜复合材料,多孔半导体电极和光催化电极
机译: 包含掺杂的氧化钨的电极组合物,其制备方法以及包括该电极组合物的电化学电池
机译: 使用多孔多层薄金属膜的硅纳米线阵列的制造方法,该多孔多层金属膜能够实现不受掺杂浓度和类型限制的硅纳米线阵列
机译:氧化钨@聚吡咯核壳纳米线阵列作为不对称超级电容器的新型负极
机译:在银纳米线上使用氧化钨缓冲层的溶液加工,柔性和透明的混合动力电极
机译:柔性透明石墨烯的超级电容器装饰着氧化钨纳米薄氧化钨和氮掺杂 - 石墨烯量子点的纳米 - 氯化物
机译:用于ppb级硫化氢传感的CMOS集成氧化钨纳米线网络
机译:硫化氢传感器用掺杂钛的氧化钨:合成,微观结构和性能评估。
机译:对丙酮敏感的氧化铈-氧化钨核壳纳米线微传感器
机译:通过氧化钨改性电极:制备方法和分析应用方法
机译:用于高灵敏度气体检测的垂直纳米线阵列上的周期性多孔顶部电极