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具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备

摘要

本发明涉及半导体激光装置和电子设备。提供一种能够减小半导体激光元件产生的应力而实现长寿命化的半导体激光装置。根据该半导体激光装置,焊料层(114)不存在于第一区域(R1),该第一区域(R1)是从发光区域(150)的中心线(J1)到朝向正交方向X的两侧离开规定尺寸(L1)处的区域。即,发光区域(150)所存在的第一区域(R1)成为半导体激光元件(100)的焊料层(114)与散热器(200)的非完全粘接区域。因此,能够减小工作时由于半导体激光元件(100)、焊料层(114)和散热器(200)的热膨胀系数的不同而施加给发光区域(150)的应力。

著录项

  • 公开/公告号CN100566053C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN200710305152.2

  • 发明设计人 国政文枝;

    申请日2007-10-08

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人葛青

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-02

    授权

    授权

  • 2008-09-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-07-23

    公开

    公开

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