可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极

摘要

本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。