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可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极

摘要

本发明是一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极,包括功率电极板和功率馈入连接端口,其特征在于所述功率电极板的板面为单面或双面的内凹弧形曲面,弧形曲面轴向与功率馈入连接端口平行;所述功率馈入连接端口为偶数个点,对称设置在功率电极板的端面上。本发明的可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极利用与衬底S正对的瓦片状弧形曲面,修正了电极间驻波效应对电场分布均匀性的影响,使电场分布均匀性得到的改善。本发明解决了大面积VHF-PECVD反应室电极间电场分布的均匀性问题,为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础,可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。

著录项

  • 公开/公告号CN101800148A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN201010125516.0

  • 发明设计人 葛洪;张晓丹;赵颖;

    申请日2010-03-17

  • 分类号H01J37/04;H01J37/32;C23C16/505;

  • 代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人廖晓荣

  • 地址 300071 天津市南开区卫津路94号

  • 入库时间 2023-12-18 00:35:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J37/04 申请公布日:20100811 申请日:20100317

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/04 申请日:20100317

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

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