具有改良的槽沟道栅极的半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有改良的槽沟道栅极的半导体器件。该半导体器件包括：有源区，由器件隔离层界定并以规则的间隔布置在半导体衬底上，每个有源区在长轴方向和短轴方向延伸；沟槽，形成于每个有源区内，该沟槽包括沿有源区的短轴方向的台阶底面；以及槽栅极，形成于沟槽内。