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CMOS图像传感器中的光电二极管的制造方法

摘要

提供一种CMOS图像传感器,其中在蓝光电二极管区中形成P-型杂质包含层并通过扩散形成P-型扩散区,使得结深度减小且蓝光被有效地接收以改善图像质量。一种制造CMOS图像传感器的方法,包括:在光电二极管区中的第一传导类型半导体基片上形成第二传导类型扩散区;在光电二极管区中的第二传导类型扩散区上形成第一传导类型杂质包含区;以及通过将第一传导类型杂质包含区中的杂质扩散到第二传导类型扩散区中而形成第一传导类型扩散区。

著录项

  • 公开/公告号CN100546053C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东部亚南半导体株式会社;

    申请/专利号CN200510132037.0

  • 发明设计人 黄俊;

    申请日2005-12-16

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐谦

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/101 授权公告日:20090930 终止日期:20121216 申请日:20051216

    专利权的终止

  • 2009-09-30

    授权

    授权

  • 2006-08-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-05

    公开

    公开

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