公开/公告号CN100546053C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-09-30
原文格式PDF
申请/专利权人 东部亚南半导体株式会社;
申请/专利号CN200510132037.0
发明设计人 黄俊;
申请日2005-12-16
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人徐谦
地址 韩国首尔
入库时间 2022-08-23 09:03:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/101 授权公告日:20090930 终止日期:20121216 申请日:20051216
专利权的终止
2009-09-30
授权
授权
2006-08-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-05
公开
公开
机译: 具有根据光的波长在光电二极管中具有不同深度的CMOS图像传感器,其制造方法和其光电二极管形成方法
机译: 制造CMOS图像传感器的方法,该传感器能够通过减小光电二极管的边缘的电阻来减少将光电二极管的电子转移到传输门的时间
机译: CMOS图像传感器,此类型传感器的光电二极管,以及该传感器和光电二极管的制造