公开/公告号CN114188201B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.01
原文格式PDF
申请/专利权人 ICT半导体集成电路测试有限公司;
申请/专利号CN202111020667.4
申请日2021.09.01
分类号H01J37/12(2006.01);H01J37/26(2006.01);H01J37/28(2006.01);
代理机构上海专利商标事务所有限公司 31100;上海专利商标事务所有限公司 31100;
代理人侯颖媖;张鑫
地址 德国海姆斯特滕
入库时间 2022-11-28 17:54:09
机译: 降低电极阵列部件电场强度的方法,电极阵列部件的接触组件,带电粒子束装置和电极阵列部件
机译: 电极配置,用于电极配置的接触组件,带电粒子束装置,以及用于降低电极配置中的场强的方法。
机译: 电极结构、电极结构的触点组件、带电粒子束装置及降低电极构型电场强度的方法