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一种MEMS容栅式角位移传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种MEMS容栅式角位移传感器及其制造方法,其包括机械外壳、敏感结构和处理ASIC电路;所述机械外壳采用凹槽型结构,位于凹槽边缘处设置有阶梯状结构,用于嵌设所述敏感结构,所述敏感结构的背部设置有所述处理ASIC电路及对外连接的接口,在所述机械外壳的凹槽底部设置有用于连线通孔;所述敏感结构包括转子和定子;所述转子设置在所述定子的上部,且所述转子与所述定子敏感面正对,并具有距离。本发明实现微传感器的高度集成,同时达到低功耗小体积的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN111137838B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.08.30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201911323266.9

  • 发明设计人 周斌;侯波;邢博文;张嵘;魏琦;

    申请日2019.12.20

  • 分类号B81B7/00(2006.01);B81B7/02(2006.01);B81C1/00(2006.01);

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司 11245;

  • 代理人孙楠

  • 地址 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

  • 入库时间 2022-09-26 23:16:47

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