首页> 中国专利> 透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材以及使用其的显示装置

透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材以及使用其的显示装置

摘要

本发明提供一种非晶质、且在可见光短波长区的光透射率高、对弯曲不易破裂的透明导电膜。本发明的透明导电膜为由Ga、In和O构成的非晶质氧化物膜,相对全部金属原子含有35原子%以上、45原子%以下的Ga,比电阻为1.2×10

著录项

  • 公开/公告号CN100547696C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友金属矿山株式会社;

    申请/专利号CN200580018592.9

  • 发明设计人 中山德行;阿部能之;

    申请日2005-06-06

  • 分类号

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-26

    专利权的转移 IPC(主分类):G09F 9/30 登记生效日:20190130 变更前: 变更后: 申请日:20050606

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-10-07

    授权

    授权

  • 2009-10-07

    授权

    授权

  • 2007-07-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-16

    公开

    公开

  • 2007-05-16

    公开

    公开

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