气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种气体分布控制系统及应用该系统进行多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法，包括中心气体通道和边缘气体通道，分别用于向反应腔室的中心区域和边缘区域供气，所述气体通道上设有气体流量控制装置，用于控制进入反应腔室中心区域和边缘区域的气体的比例。气体流量控制装置可设于中心气体通道上；也可以设于边缘气体通道上；也可以在中心气体通道与边缘气体通道上分别设有气体流量控制装置。反应腔室可以只设一个中心进气装置；也可以设一个中心进气装置和多个边缘进气装置。结构简单，可通过控制进入反应腔室的工艺气体的分布，改善硅片刻蚀的均匀性，主要适用于向半导体硅片刻蚀反应腔室供气，也是用于向其它腔室供气。