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一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计

摘要

本发明公开了一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计,涉及MEMS惯性器件领域。所述加速度计包括结构层、衬底层以及硅盖板。加速度计的敏感结构包括四组正交分布的敏感质量单元以及一个不平衡质量块。每组敏感质量单元与中心质量块通过两条连接梁相连。每个检测质量块中心包括两个锚点,每个锚点由两条弹性扭转梁连接到检测质量块。本发明的低交叉轴灵敏度的Z轴MEMS加速度计,其优点是具有大质量块的敏感结构,通过多差分质量块降低共模干扰,通过正交分布的敏感质量单元实现较低的交叉轴灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号CN112578146B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航天控制仪器研究所;

    申请/专利号CN202011449418.2

  • 申请日2020-12-09

  • 分类号G01P15/125(2006.01);G01P15/08(2006.01);G01P15/18(2013.01);

  • 代理机构中国航天科技专利中心 11009;

  • 代理人张晓飞

  • 地址 100854 北京市海淀区北京142信箱403分箱

  • 入库时间 2022-09-06 00:38:11

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