不良芯片的补救率提高了的半导体存储器

摘要

在存储单元阵列14中设置了配置备用存储单元的备用列。存储单元阵列14可在存储单元阵列的右半部分和左半部分中变更根据同一行地址一并地选择的子字线的分配。可通过切断在SD发生电路4中内置的熔断元件来进行该分配的变更。即使是多个不良存储单元集中在同一存储单元行的情况，由于可利用地址分配的变更使与不良存储单元的行地址对应的选择单位中的数目分散，故也可利用备用存储单元来增加能补救的芯片。因而，在不增加备用存储单元的数目的情况下可提高不良芯片的补救率。