以H₂Te为碲源的Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe量子点的制备方法

摘要

本发明涉及一种以H₂Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H₂Te气体为碲源，通过通入H₂Te气体，减少了前驱体溶液的杂质成分，所制备的II-VI族半导体CdTe量子点，粒子分布从2.0～6.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时，操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。