法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G09G 3/36 授权公告日:20090617 终止日期:20140608 申请日:20070608
专利权的终止
2009-06-17
授权
授权
2008-02-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-12-12
公开
公开
机译: 用于最小化硅结晶晶粒之间的边界的掩模,一种利用掩模形成多晶硅层的方法,一种包含多晶硅层的LCD以及一种制造LCD的方法
机译: 用于制造LCD设备的阵列基板的方法,该方法能够利用相同的蚀刻解决方案体现出色的蚀刻特性,甚至蚀刻氧化铟膜
机译: 利用函数公式解决黑/白对比度比例误差的LCD图像质量评估方法