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公开/公告号CN100527438C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-12
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200510004622.2
发明设计人 李化成;上野哲嗣;柳载润;李浩;李承换;金炫锡;朴文汉;
申请日2005-01-14
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:02:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-12
授权
2007-02-28
实质审查的生效
2005-07-27
公开
机译: 鳍式沟道和超薄沟道场效应晶体管结构的组合及其制造方法
机译: 鳍式场效应晶体管的制造方法,鳍式场效应晶体管及包括鳍式场效应晶体管的器件
机译: 鳍式场效应晶体管存储池,鳍式场效应晶体管存储池布置以及制造鳍式场效应晶体管存储池的方法
机译:在新型绝缘体上的GeSn衬底上制造的锗锡(GeSn)P沟道鳍式场效应晶体管
机译:用于50 nm以下动态随机存取存储单元的鳍式和嵌入式沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:纳米聚焦拉曼光谱法测量窄sGe鳍式场效应晶体管沟道中的各向异性应力
机译:n沟道,p沟道,耗尽型,增强型GaAs金属绝缘体半导体场效应晶体管,其栅极膜通过GaAs表面的氧氮化形成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译:IN0.53GA0.47AS薄膜的低损伤图案,其作为鳍金属氧化物半导体场效应晶体管架构的N沟道
机译:砷化镓垂直沟道绝缘栅型场效应晶体管。