首页> 中国专利> 对0相位区域附加并行线以增强透明电场相移位掩模的方法

对0相位区域附加并行线以增强透明电场相移位掩模的方法

摘要

一种将边界区域添加至界定有多边形0相位图案的平行边缘外侧的方法。该方法可降低光学距离校正(Optical Proximity Correction,OPC)需求,并改善集成电路的制造与图案化制造过程窗口。该方法亦可同时设置0相位与180相位的多边形宽度至特定尺寸,俾使光学距离校正易于分配。

著录项

  • 公开/公告号CN100520575C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN02824782.5

  • 发明设计人 T·P·卢康科;C·A·斯彭斯;

    申请日2002-12-09

  • 分类号G03F1/00(20060101);G03F1/14(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F 1/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20100709 申请日:20021209

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-07-29

    授权

    授权

  • 2006-01-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-23

    公开

    公开

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