用于形成双金属镶嵌结构工艺的洗涤液及基板处理方法

摘要

本发明公开了一种洗涤液，所述洗涤液，是在形成双金属镶嵌结构的过程中，蚀刻层合在具有金属层的基板上的低电介质层(low-k层)，形成第1蚀刻空间，在所述第1蚀刻空间内填充保护层后，再部分地蚀刻低电介质层和保护层，形成连通所述第1蚀刻空间的第2蚀刻空间后，用于除去所述第1蚀刻空间内残存的保护层的洗涤液，所述洗涤液含有(a)1～25质量%的TMAH、胆碱等季铵氢氧化物、(b)30～70质量%的水溶性有机溶剂及(c)20～60质量%的水。本发明的洗涤液具有如下二方面效果，即在设置了金属层(Cu层等)和低电介质层的基板上形成金属配线的过程中，可以很好地除去用于形成双金属镶嵌结构的保护层，而且不造成低电介质层损坏。