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在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂

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摘要

半绝缘III族氮化物层及制造半绝缘III族氮化物层的方法，包括：利用浅能级p型掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级掺杂剂如深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。这样的层和/或方法也可以包括利用浓度小于约1×10

1. 在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂 [P] . 中国专利： CN101556915B . 2012.09.05
2. 在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂 [P] . 中国专利： CN101556915A . 2009-10-14
3. Co-doping for fermi level control in semi-insulating Group III nitrides [P] . 美国专利： US7449353B2 . 2008-11-11

机译：共掺杂用于半绝缘III族氮化物的费米能级控制
4. Co-doping for fermi level control in semi-insulating Group III nitrides [P] . 美国专利： US7135715B2 . 2006-11-14

机译：共掺杂用于半绝缘III族氮化物的费米能级控制
5. Co-doping for fermi level control in semi-insulating Group III nitrides [P] . 美国专利： US2005145874A1 . 2005-07-07

机译：共掺杂用于半绝缘III族氮化物的费米能级控制