声明
中文摘要
英文摘要
插图索引
表格索引
符号对照表
缩略语对照表
目录
第一章 绪论
1.1 GaN材料的简介
1.2 本文的研究现状
1.3 本文的研究内容和行文安排
第二章 GaN薄膜的制备方法比较与表征技术
2.1 GaN的制备方法比较
2.2 MOCVD的基本原理和本文实验材料的生长流程
2.3 主要表征技术
2.4本章小结
第三章 不同极性GaN薄膜的杂质吸附探究
3.1 Ga面与N面薄膜的杂质吸附探究
3.2 a面GaN与c面GaN薄膜的杂质吸附探究
3.3 本章小结
第四章 不同极性InGaN势垒层的杂质结合探究
4.1 极性(002)面与半极性(112)面样品制备和In组分的确定
4.2 In的结合效率和外来杂质结合模型
4.3 本章小结
第五章 结论与讨论
参考文献
致谢
作者简介