机译:非极性和半极性III族氮化物量子阱光电器件的价带态和偏振光发射
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.;
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.;
Institute of Photonics and Optoelectronics and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan;
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.;
机译:用于精确确定InGaN合金材料中价带参数的半极性和非极性InGaN量子阱中光学偏振特性的理论分析
机译:非极性和半极性AlGaN量子阱深紫外发光二极管的光学各向异性研究
机译:半导体量子阱光电器件中各向异性价带的数值有效表示
机译:为具有偏振白光发射的无磷器件设计具有长波长发射的光泵浦InGaN量子阱
机译:非极性和半极性III族氮化物基异质结构和器件的生长和表征。
机译:用于有机/量子点混合光电器件的胶体纳米晶体薄膜的接触印刷
机译:量子点中线性偏振单光子的发射 包含在铅笔状InGaN / GaN的非极性,半极性和极性部分中 纳米线