在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法

摘要

本发明公开了属于微加工技术和微型检测器件范围的一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法。其特征在于：所述传感器采用SOI(绝缘体上硅)硅片制备，即在所述SOI硅片的上层硅中制备单晶硅压阻敏感器件，采用硅的横向干法刻蚀工艺从正面释放所述微悬臂梁使其悬空。本发明采用SOI硅片、利用各向同性干法刻蚀工艺从正面释放微悬臂梁结构，制作工艺简单易行，成品率高；由SOI硅片上层硅制备单晶硅材料的压阻敏感器件，压阻系数大，可显著提高传感器的灵敏度。