法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/22 授权公告日:20090624 终止日期:20120926 申请日:20060926
专利权的终止
2009-06-24
授权
授权
2007-09-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-11
公开
公开
机译: 等离子体活化化学气相沉积法及微晶硅SI:H层的制备装置
机译: 等离子体化学气相沉积法及微晶硅SI:H层的制备装置
机译: 等离子体活化化学气相沉积法及微晶硅SI:H层的制备装置