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一种逻辑电路设计中的RAM例化方法及装置

摘要

本发明涉及一种逻辑电路设计中RAM例化方法,包括以下步骤:(a)读取逻辑电路设计代码,获取代码中标识RAM单元的参数组;(b)通过所述参数组在综合库封装文件中查找到与所述参数组对应的RAM单元名,所述综合库封装文件中的RAM单元名与综合库中的RAM单元相对应;(c)根据所述RAM单元名选择综合库中对应的RAM单元进行输入输出管脚的连接。本发明还提供了一种对应的逻辑电路设计中RAM例化装置及一种对应的生成逻辑电路的系统。本发明通过使用统一的综合库封装文件,避免了RAM名冲突,并减少了RAM封装文件的设计和维护工作量,提高了设计效率。

著录项

  • 公开/公告号CN100483428C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华为技术有限公司;

    申请/专利号CN200610063298.6

  • 发明设计人 李小波;

    申请日2006-10-24

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518129 广东省深圳市龙岗区布吉坂田华为总部办公楼

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50 授权公告日:20090429 终止日期:20151024 申请日:20061024

    专利权的终止

  • 2009-04-29

    授权

    授权

  • 2007-06-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-11

    公开

    公开

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