一种异质p－n结纳米线阵列及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种在高温高压环境中利用脉冲激光沉积技术制备异质p-n结纳米线阵列及其制备方法。该阵列中每根纳米线均由直径均匀的n型半导体材料纳米线和p型另一种半导体材料纳米线两截组成，两截不同半导体材料的纳米线长度相等，且直径均匀相等，两者形成p-n结，界面形成一个p-n结空间电荷区。本发明还公开了异质p-n结纳米线阵列在二极管和三极管等半导体电子器件领域中的应用。本发明合成工艺简单，对温度和真空度的要求不高，所用激光也是在长波段，反应时间短，材料沉积过程速度快，受其他外界因素影响较小，可达到严格的化学计量配比，有利于工业化集成化大批量生产。