首页> 中文期刊>郑州大学学报(理学版) >ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性

ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性

     

摘要

利用化学汽相沉积,在没有催化剂的p-Si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列,构成ZnO阵列/p-Si异质结.电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性,漏电流较小,4 V时约为0.05mA.异质结理想因子偏高,1.86(0.5~2.25 V)和5.92(在2.25~2.7 V),主要原因可能ZnO纳米线阵列底与Si之间存在较高的缺陷密度.提供了一种简单的合成ZnO阵列/p-Si异质结方法,不需要在Si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂,同时结构具有较好整流性能,对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值.%ZnO nanowire arrays were fabricated on p-Si substrate without catalyzes by CVD method to form ZnO nanowire arrays /p-Si heterojunctions. The ZnO arrays were irregular and vertical approximately. The I-V characteristics showed good rectifying behavior of the heterojunction with the small reverse saturation current. The value of the ideal factor of the heterojunction was 1. 86 in the bias voltage range of 0.5 ~2.25 V and 5.92 in the voltage range of 2. 25 ~2.7 V respectively. Many defects in the interface cased by the lattice mismatch between ZnO and p-Si may due to the high ideal factor. A simple method was approached to synthesize ZnO hetero-structures and our results were valuable for application and design of the ZnO nano-devices.

著录项

  • 来源
    《郑州大学学报(理学版)》|2011年第3期|87-90|共4页
  • 作者单位

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

    郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 无机质材料;
  • 关键词

    ZnO阵列;

  • 入库时间 2023-07-25 21:57:31

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号