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化学研磨垫、其制造方法及半导体晶圆的化学机械研磨方法

摘要

本发明提供一种化学机械研磨垫,其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件,且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面,可不降低研磨性能地透过终点检测用光。

著录项

  • 公开/公告号CN100486770C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JSR株式会社;

    申请/专利号CN200510068474.0

  • 申请日2005-04-28

  • 分类号B24B37/04(20060101);B24B49/12(20060101);H01L21/304(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人郭煜;庞立志

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-05-13

    授权

    授权

  • 2006-01-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-02

    公开

    公开

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