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降低导电层与掩模层间应力的方法以及制造栅极的方法

摘要

一种降低导电层与掩模层间的应力的方法,包含于该导电层上方形成该掩模层之前,进行一含氮气体的等离子体处理以改质一导电层与一掩模层接触的表面的步骤。该方法可用于栅极的制造,此栅极制造方法包含下列步骤:提供一衬底;以及于衬底上依序沉积一氧化层、一导电层、及一掩模层,以形成一栅极堆叠结构。其中,于沉积掩模层之前,进行一含氮的气体的等离子体处理以改质导电层表面。本发明还提供一种制造栅极的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN100495657C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 茂德科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200610136061.6

  • 发明设计人 杨宗勋;吴孝哲;陈丰钧;潘建勋;

    申请日2006-10-20

  • 分类号H01L21/321(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-01-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/321 授权公告日:20090603 终止日期:20091120 申请日:20061020

    专利权的终止

  • 2009-06-03

    授权

    授权

  • 2008-06-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-04-23

    公开

    公开

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