公开/公告号CN100495657C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 茂德科技股份有限公司;
申请/专利号CN200610136061.6
申请日2006-10-20
分类号H01L21/321(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 中国台湾新竹科学工业园
入库时间 2022-08-23 09:02:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/321 授权公告日:20090603 终止日期:20091120 申请日:20061020
专利权的终止
2009-06-03
授权
授权
2008-06-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-04-23
公开
公开
机译: 闪存设备的制造NAND型闪存器件包括在使用硬掩模层作为掩模的单蚀刻设备中蚀刻导电层和介电层,其中形成控制栅极和浮置栅极。
机译: 修剪硬掩模层的方法,在MOS晶体管中制造栅极的方法以及在MOS晶体管中制造栅极的堆叠
机译: 修整硬掩模层的方法,用于在MOS晶体管中制造栅极的方法以及用于在MOS晶体管中制造栅极的叠层