首页> 中国专利> 减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化

减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化

摘要

公开了一种减小光电二极管中暗电流的方法。光电二极管包括形成在P型衬底上的N阱。这种方法包括用氮掺杂剂掺杂所说N阱的表面。此外,也可以用氧或硅掺杂剂。此外,可以在N阱上形成硅氮氧化物层。

著录项

  • 公开/公告号CN100492648C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 全视技术有限公司;

    申请/专利号CN02157576.2

  • 发明设计人 C·-H·吴;T·赵;X·何;

    申请日2002-11-04

  • 分类号H01L27/146(20060101);H01L27/14(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人邹光新;张志醒

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-20

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更前: 变更后: 申请日:20021104

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2009-05-27

    授权

    授权

  • 2009-05-27

    授权

    授权

  • 2004-09-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-09-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-05-21

    公开

    公开

  • 2003-05-21

    公开

    公开

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