退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN113992908A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 西安微电子技术研究所;
申请/专利号CN202111250903.1
发明设计人 史杨梅;李珂;匡乃亮;梁勇;任战国;
申请日2021-10-26
分类号H04N17/00(20060101);H04N5/361(20110101);H04N5/374(20110101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人崔方方
地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
入库时间 2023-06-19 14:01:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-09
授权
发明专利权授予
机译: 具有防止暗电流的气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器和制造CMOS图像传感器的方法
机译: 图像传感器及降低CMOS图像传感器暗电流的方法
机译: 改进的是具有复原比的暗电流的CMOS图像传感器无效光电传感器
机译:γ和质子引起的5T CMOS固定光电二极管$ 0.18〜muhbox {m} $ CMOS图像传感器的暗电流衰减
机译:片上智能温度传感器,用于CMOS图像传感器中的暗电流补偿
机译:磷与砷:光电二极管掺杂元件在CMOS图像传感器辐射引起的暗电流和随机电报信号中的作用
机译:使用三元有机材料的有机光电导薄膜堆叠的1 / 2.3英寸20M CMOS图像传感器,在5V偏压下具有15pA / cm〜2的低暗电流和84%的高量子效率
机译:CMOS图像传感器暗电流补偿的差分积分器像素架构
机译:使用烃类分子离子植入双外延Si晶片减少CMOS图像传感器像素中的暗电流
机译:CMOS图像传感器暗电流和FWC的转移门掺杂曲线分析
机译:用于高度集成成像系统的CmOs有源像素图像传感器