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一种CMOS图像传感器暗电流的计算方法及系统

摘要

本发明公开一种CMOS图像传感器暗电流的计算方法及系统,所述方法在暗室环境下采集最图像,曝光度以指数级增长,在图像采集正确的前提下,将图像保存为*.RAW格式文件,对图像文件的数据进行解析,在图像数据文件平均值以及平均值所对应的曝光时间的基础上,以最小二乘法拟合曲线,得出CMOS图像传感器暗电流的参数指标,能够解决目前对CMOS图像传感器暗电流测试方法的局限性、复杂性、不够直观的特性以及测试精度的不完善性,有效提供一种基于应用环境下,简单直观的计算CMOS图像传感器暗电流参数指标的方法;缓解设计人员采用第三方测试工具进行人工测量的耗时耗力操作,避免复杂测试方法下,对CMOS图像传感器暗电流参数指标的不精确测试。

著录项

  • 公开/公告号CN113992908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN202111250903.1

  • 申请日2021-10-26

  • 分类号H04N17/00(20060101);H04N5/361(20110101);H04N5/374(20110101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人崔方方

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-09

    授权

    发明专利权授予

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