穿硅通孔结构及其制造方法

摘要

本公开提供一种穿硅通孔(through silicon via，TSV)结构及其制造方法。该穿硅通孔结构包括一半导体基底、一成形膜、一导电线、一阻障层以及一绝缘层。该成形膜设置在该半导体基底的一背表面的上方，经配置以保持该半导体基底的平面状的形成。该导电线穿过该成形膜并设置在该半导体基底中。该阻障层围绕该导电线，该绝缘层围绕该阻障层。