溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法

摘要

本发明公开了一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法。所述方法包括如下步骤：在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极；构筑所述源漏电极的步骤如下：将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。