一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法，该双层光子晶体结构的倒装深紫外LED包括支架、深紫外LED芯片和透镜，其中：所述透镜设置于所述支架顶部，且所述深紫外LED芯片位于所述支架与透镜所围成的封闭空间中；所述深紫外LED芯片设置于所述支架底部，所述深紫外LED芯片靠近所述支架底部的一侧表面设置有第一纳米阵列结构，所述深紫外LED芯片远离所述支架底部的一侧表面设置有第二纳米阵列结构。本发明通过在深紫外LED的P型GaN接触层上设置第一纳米阵列结构，同时在蓝宝石衬底上设置第二纳米阵列结构，打破了现有的光提取效率上限，使深紫外LED的出光功率提升了一倍以上。