氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低No的能级，提高No的稳定性。