一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件

摘要

本发明公开了一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱和深P阱，深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；深N阱中设置HVBN区、N阱、N TOP区和P TOP区，漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面；N TOP区设置在P TOP区之上，N TOP区由N型条和N型场限环组成，N型场限环设置在HVBN区内，N型条在HVBN区和深N阱中；P TOP区由P型条和P型场限环组成，P型场限环设置在HVBN区内，P型条在HVBN区和深N阱中。