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公开/公告号CN112349764A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201910746926.8
发明设计人 秦玉香;张冰莹;陈亮;
申请日2019-08-08
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王秀奎
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2023-06-19 09:51:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-02
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2019107469268 申请公布日:20210209
发明专利申请公布后的驳回
机译: 具有场环边缘端接结构和布置在不同场环之间的分隔沟槽的半导体器件
机译: 具有场环边缘终止结构和布置在不同场环之间的隔离沟槽的半导体器件
机译: 具有场环边缘终端结构和布置在不同场环之间的分离沟槽的半导体器件
机译:聚(1,4-环己二酮对苯二甲酸乙二醇酯-CO-1,4-环己二甲基2,6-萘二甲硅烷酯)(PCTN)共聚酯薄膜的制备和表征):一种新型共聚酯薄膜,具有卓越的下一代柔性电子器件的性能
机译:在衬底中具有场限制环的新型薄漂移区器件
机译:具有多区梯度场限压环的超高压4H-SIC器件附近的理想边缘终端技术
机译:功率碳化硅器件中的边缘端接和RESURF技术。
机译:YybT是一种信号蛋白包含一个环二核苷酸磷酸二酯酶结构域和一个具有ATPase活性的GGDEF结构域
机译:一种新型具有斜坡场板的Resurf阶梯式氧化物mOsFET
机译:两种芳香杂环聚合物的链填充,其中一种具有梯形结构