公开/公告号CN100485867C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-05-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN200410069292.0
申请日2004-07-20
分类号H01L21/08(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/24(20060101);
代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;
代理人王凤华
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 09:02:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-09-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/08 授权公告日:20090506 终止日期:20120720 申请日:20040720
专利权的终止
2009-05-06
授权
授权
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-25
公开
公开
机译: 铝酸镧镁(LMA)的单晶层,通过液相外延生长的方法以及包含这些层的光学组件
机译: 在硅衬底上外延生长单晶氮化铝层的方法包括准备衬底以形成平台层,蒸发铝层
机译: 在硅衬底上外延生长(111)取向的孪晶ii-vi合金薄膜的方法。