公开/公告号CN100481301C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN200610130758.2
申请日2006-12-31
分类号H01J9/02(20060101);C23C14/24(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/14(20060101);C25D13/00(20060101);C01B31/02(20060101);B82B3/00(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人江镇华
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2022-08-23 09:02:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/02 授权公告日:20090422 终止日期:20101231 申请日:20061231
专利权的终止
2009-04-22
授权
授权
2007-09-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-18
公开
公开
机译: 碳纳米管场电子发射体的制造方法以及由其制造的包含场电子发射体的场电子发射装置,能够有效地制造碳纳米管场发射电子源
机译: 利用金属粘合剂和该方法制造的碳纳米管场发射电子束发射器制造高放电率和高稳定性碳纳米管场发射电子束发射器的方法
机译: 使用源自碳化物的碳的碳纳米管混合系统,一种相同的制造方法,一种包括该碳纳米管的电子发射器以及一种包括电子发射器的电子发射装置