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一种改善电泳法沉积碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法

摘要

本发明公开一种有效提高电泳法沉积碳纳米管薄膜的电子场发射性能的方法,按照以下步骤进行:(1)采用物理气相沉积镀膜方法在导电基底材料上镀覆过渡金属薄膜;(2)以镀覆后的导电基底作为阴极,电泳沉积碳纳米管薄膜;(3)对沉积的碳纳米管薄膜阴极进行退火处理采用该方法对基底和电泳沉积的碳纳米管薄膜进行处理后,可显著增强碳纳米管与基底之间的附着力,明显改善发射稳定性,降低碳纳米管场发射的阈值场强,提高场发射电流密度。

著录项

  • 公开/公告号CN100481301C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN200610130758.2

  • 申请日2006-12-31

  • 分类号H01J9/02(20060101);C23C14/24(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/14(20060101);C25D13/00(20060101);C01B31/02(20060101);B82B3/00(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人江镇华

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/02 授权公告日:20090422 终止日期:20101231 申请日:20061231

    专利权的终止

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2007-09-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-18

    公开

    公开

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